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我院储能材料研究团队取得重要成果

admin 发布于 2016-10-30 18:00:24 阅读次数 1536

何学侠副教授在二维材料应用方面取得新进展

2004年石墨烯发现以来,二维光电材料因其潜在的广泛应用而受到普遍关注。如二维材料有望替代硅成为下一代半导体场效应管(FET)的通道材料就是其中的典型例子。赋予二维材料双极性成为实现其在逻辑电路中应用的核心。

我院何学侠副教授与新加坡南洋理工大学刘政教授合作,提出了以n型二维材料与p型有机半导体材料结合构建双极性新型二维异质结构新策略,成功地获得了基于新型有机无机异质结构FET器件。该器件活性层由n型二维材料硫化钼和p型有机晶体红荧烯(rubrene)构成,以其典型的双极性特性,成功地将其应用于CMOSComplementary Metal Oxide Semiconductor)反相器逻辑电路中。其开关阈值电压为-26伏时,增益可达到2.3伏,其性能远优于目前报道的硫化钼-碳纳米管、硫化钼-黑磷等异质结构器件。该成果不仅为构筑基于二维材料的有机无机新型结构材料提供了新思路,而且对于开发柔性微电子器件具有十分重要的意义。上述相关工作以“MoS2/Rubrene Van der Waals Heterostructure: Towards Ambipolar Field-effect Transistors and Inverter Circuits”为题,在线发表于近期Small, 2016, DOI: 10.1002/smll.201602558上,影响因子为8.315